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目前的閃存基本上都是3D NAND，而閃存的層數(shù)將會(huì)決定閃存的密度，從而提升SSD的容量。目前主流的閃存容量基本上在96層，128層，此外有很多廠商也已經(jīng)開始量產(chǎn)更高堆疊層數(shù)的閃存，比如說西數(shù)就宣布成功量產(chǎn)162層的閃存。這一次西數(shù)與鎧俠共同發(fā)布聲明，稱通過合作成功量產(chǎn)了第六代BiCS NAND閃存，最多擁有162層的閃存堆疊層數(shù)。

162層目前并非是業(yè)界最高的閃存堆疊層數(shù)，比如說像英睿達(dá)也就是美光已經(jīng)研發(fā)了232層的NAND閃存。不過西數(shù)表示盡管大家都是162層，不過西數(shù)的晶圓面積更小，因此可以提供更高的存儲(chǔ)密度，一塊晶圓所能提供的容量也更高。比如說原來一塊晶圓能夠提供70TB的容量，而第六代BiCS NAND閃存可以提供100TB的容量，密度提升了42.8%，從而降低了閃存生產(chǎn)的成本。

隨著閃存堆疊層數(shù)的提升，大容量的SSD制造成本應(yīng)該會(huì)大幅下降，SSD的價(jià)格也有所下滑，不過閃存的緩?fù)馑俣瓤赡軙?huì)有所影響。而西數(shù)也表示未來隨著技術(shù)的進(jìn)步，閃存堆疊層數(shù)將會(huì)達(dá)到200層，甚至未來還有可能突破500層。屆時(shí)就不一定是TLC閃存的，不知道閃存的壽命以及穩(wěn)定性屆時(shí)能不能有所保證，畢竟現(xiàn)在QLC閃存的口碑實(shí)在是過于糟糕。