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如果沒有礦潮的話，那么今年絕對(duì)是裝機(jī)的大年，從今年下半年開始，英特爾即將推出12代酷睿處理器，伴隨而來的就是DDR5內(nèi)存以及全新的芯片組的發(fā)布。而DDR5內(nèi)存的出現(xiàn)也就意味著內(nèi)存行業(yè)又將迎來全新的變革，同時(shí)內(nèi)存的更新?lián)Q代也將讓核顯性能有著巨大的提升。

與獨(dú)立顯卡不同的是，核顯需要部分內(nèi)存作為顯存使用，這是因?yàn)镃PU的體積決定了它不可能與GPU一樣，將顯存焊接在PCB板上，畢竟一顆高速顯存芯片的面積就不小了，更不用說一塊顯卡基本上需要8顆左右的顯存芯片。這種面積是普通CPU根本無法承受的，此外對(duì)于CPU廠商來說，不同類型的CPU對(duì)于內(nèi)存的使用也有所不同，且與獨(dú)立顯卡有所不同，核顯對(duì)于內(nèi)存速度十分地敏感，因此在一定條件下，內(nèi)存速度越高，那么核顯的性能也就越強(qiáng)。

目前的DDR4內(nèi)存頻率實(shí)際上已經(jīng)達(dá)到了一個(gè)極限，而DDR5的出現(xiàn)則讓內(nèi)存的速度得到進(jìn)一步的提升，其中一個(gè)重要的點(diǎn)就在于DDR5內(nèi)存的傳輸信號(hào)翻倍，從而能夠讓頻率更高，比如說DDR4內(nèi)存超過4000MHz絕對(duì)稱得上是極品，而以七彩虹CVN DDR5內(nèi)存為例，它將直接從4800MHz起步，發(fā)燒級(jí)內(nèi)存更是可以達(dá)到6400MHz，而未來隨著DDR5內(nèi)存的不斷改良，未來很有可能有超過8000MHz的內(nèi)存出現(xiàn)。同時(shí)DDR5能夠允許堆疊更高的顆粒層數(shù)，從而單根內(nèi)存的容量也將有很大地提升，從32GB提升至128GB，對(duì)于從事渲染行業(yè)的用戶來說無疑是一個(gè)福音。

歸根到底核顯的性能很大幅度受制于內(nèi)存的帶寬，而現(xiàn)在隨著DDR5內(nèi)存頻率與帶寬的不斷提升，未來在DDR5內(nèi)存超大帶寬的支持下，CPU的核顯性能也將有相當(dāng)巨大的提升，而且伴隨著制程的進(jìn)步，CPU也將有更多的空間去容納核顯的晶體管，或許將來我們看到擁有RTX 3060顯卡相近的核顯性能也不一定，畢竟在ARM陣營中，M1處理器的核顯性能就已經(jīng)足夠驚艷，相信X86陣營也不會(huì)原地等待。