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目前的DDR5內(nèi)存經(jīng)過幾年的發(fā)展已經(jīng)開始進入成熟期，高頻內(nèi)存在市場上也開始陸續(xù)出現(xiàn)，并且價格相比較剛出來的時候也大幅降低。不過對于普通消費者來說，DDR5帶來的內(nèi)存帶寬已經(jīng)完全足夠，然而對于數(shù)據(jù)中心來說，目前的DDR5內(nèi)存帶來的內(nèi)存帶寬還遠遠不足，特別是對于大數(shù)據(jù)計算與存儲設(shè)備來說更是如此，因此像AMD這樣的廠商希望與內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)組織共同研發(fā)全新的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，進而讓內(nèi)存的帶寬有著進一步的提升。

據(jù)悉AMD計劃跟JEDEC展開合作，共同研發(fā)全新的MRDIMM DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。MRDIMM稱之為多重緩沖，相比較目前的DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，MRDIMM的出現(xiàn)可以讓兩個內(nèi)存的DIMM變成一個四重數(shù)據(jù)存儲，從而讓存儲傳輸速度翻倍。

AMD也展示了關(guān)于MRDIMM內(nèi)存的路線圖，稱第一代路線圖讓內(nèi)存速率達到8800MT/s，而第二代則是12800MT/s，至于遠景的第三代，則會達到17600MT/s，也就是說達到17600MHz，是目前內(nèi)存的兩倍還多。當(dāng)然達到17600MT/s的時間被設(shè)定到2030年，并且首先為數(shù)據(jù)中心所準(zhǔn)備，等到消費級內(nèi)存落地的話，估計DDR6內(nèi)存都已經(jīng)出來了，總之也是一個比較長遠的規(guī)劃，跟普通消費者關(guān)系不大。