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日前舉行的IEEE國際電子器件會議上，索尼半導(dǎo)體解決方案公司公開了新型堆棧式CMOS圖像傳感器，它將光電二極管和像素晶體管分別放在不同硅片上，能夠進(jìn)一步提升畫質(zhì)。

隨著技術(shù)成熟，采用堆棧式CMOS圖像傳感器的相機、手機越來越多，不過這些傳感器都是在CIS基礎(chǔ)上貼合一塊邏芯片，用以提高傳感器輸出速度。而索尼新堆棧式CMOS圖像傳感器則不同，它是把原來模擬芯片按照光電二極管、像素晶體管分拆成芯片，再通Cu- Cu工藝鏈接在一起，也就是把保留了包含轉(zhuǎn)移門（TRG）的光電二極管放置傳感器頂部，把包括復(fù)位晶體管（RST）、選擇晶體管（SEL）和安培晶體管（AMP）移動TRG的下方面，這樣不但能在CIS尺寸、分辨率不變的情況下放大單個像素的面積，而且能夠使用更大尺寸的AMP，借此減少低光照場景，比如夜景、室內(nèi)拍攝時的噪聲。因此綜合上述特性，新堆棧式CIS能把和信號水平（full-well capacity)）提升一倍，增加動態(tài)范圍，以及減少噪聲。

不過目前索尼沒有拿出傳感器實物，更多是一種技術(shù)展示，預(yù)計新堆棧式技術(shù)應(yīng)用在量產(chǎn)相機、智能手機要等到數(shù)年之后，但它的出現(xiàn)為成像設(shè)備提升畫質(zhì)指明了一個方向。