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在上周，尼康官宣正在開發(fā)旗艦無反相機Z9，它搭載了一塊FX格式（全畫幅）的堆棧式CMOS傳感器，支持8K視頻，其它規(guī)格不祥。在相機進(jìn)入數(shù)碼時代后，圖像傳感器成了決定勝負(fù)的關(guān)鍵之一，佳能一度憑借自產(chǎn)全畫幅CMOS圖像傳感器（下面簡寫為CIS），力壓尼康多年，直到尼康D3問世才改變局面。在進(jìn)入無反相機時代，索尼憑借自產(chǎn)CIS成功改變了相機市場版圖，佳能EOS R5只能靠著處理器與鏡頭群扳回一局。

在無反相機市場中，尼康無疑是落后于競爭對手的一個，Z9將會成為扭轉(zhuǎn)乾坤的關(guān)鍵，它搭載堆棧式CIS來自何方，會是TowerJazz么？其實TowrJazz早不叫TowerJazz Semiconductor，它在2020初改名為Tower Semiconductor，但出于習(xí)慣與不熟悉，攝影圈子更喜歡稱它為TowerJazz，它與尼康首次建立聯(lián)系是在去年與投資者和分析師的在線會議中，把尼康Z50無反相機、D7500單反相機相機加入到PPT當(dāng)中。

而尼康在數(shù)碼時代里，一直向第三方購買CIS或是尋求代工，為尼康生產(chǎn)過CIS除了索尼還有瑞薩、Aptina、東芝，只可惜瑞薩在多年前退出了CIS市場，Aptina被安森美收購，東芝在爆出丑聞后半導(dǎo)體業(yè)務(wù)賣給索尼，尼康急需一個新的企業(yè)為它代工CIS，因此和Tower Semiconductor有著廣泛合作空間。那Tower Semiconductor有可能成為Z9的傳感器的代工廠么，這必須先看它是否具備這個實力。

從目前消息看，Z9的CIS具備四個特性：全畫幅、8K、BSI與堆棧式。要實現(xiàn)8K，CIS橫向至少要有7680個像素，在全畫幅下，單個像素大小最大不超過4.7× 4.7 μm，需要較為先進(jìn)的制程——最好是180nm或線寬更小的工藝，并采用銅互連工藝，否則功耗會非常可怕，速度也難以提升。在尼康新聞稿中沒有提到Z9采用BSI技術(shù)，但堆棧式是在CIS下面封裝一塊DRAM作為緩存，用以消除滾轉(zhuǎn)快門的果凍效應(yīng)，CIS與DRAM之間是通過TSV（Through Silicon Via，硅通孔）工藝連接起來。FSI CIS的邏輯層位于光電二極管之上，也就是位于CIS的上半層，無法通過TSV工藝連接到下方的DRAM，因此Z9的CIS必定是BSI。

那Tower Semiconductor具備生產(chǎn) Z9的能力么？Tower Semiconductor是一家創(chuàng)立于1993年的半導(dǎo)體企業(yè)，總部位于以色列Migdal Haemek，在2008年收購了半導(dǎo)體Jazz Semiconductor，并在其后一年成立了聯(lián)合公司TowerJazz Semiconductor。在2014年時候，它與松下達(dá)成了交易，收購了松下三座半導(dǎo)體工廠，成立了名為TowrJazz Panasonic Semiconductor Co.，在2020年3月起采用新名字Tower Semiconductor。Tower Semiconductor擅長生產(chǎn)射頻前端、電源管理、CIS等模擬芯片，晶圓廠分布于以色列、美國、日本多地。

按照Tower Semiconductor官網(wǎng)CMOS IMAGE SENSORS頁面中介紹，它應(yīng)用CIS上制程有180nm、110nm和65nm三種，180nm可用于生產(chǎn)3.6-6 μm像素大小、滾轉(zhuǎn)快門的電影機用CIS或是4-6 μm像素大小、全局快門的廣播機用CIS，110nm可用于生產(chǎn)3.8-5μm像素大小、滾轉(zhuǎn)快門的（單反）相機用CIS，65nm可用于生產(chǎn)3.2-7 μm像素大小、滾轉(zhuǎn)快門的相機/電影機用CIS，其中180nm、110nm采用的是8英寸晶圓，65nm采用的是12英寸晶圓，最為適合生產(chǎn)大尺寸的全畫幅CIS。顯然，Tower Semiconductor具備先進(jìn)的制程與銅互連工藝（110nm、65nm必然是銅互連工藝，不然功耗會上天），能夠生產(chǎn)出8K全畫幅CIS。

在去年Tower Semiconductor獲得了Xperi Holding的Invensas Zibond和DBI 3D半導(dǎo)體互聯(lián)技術(shù)授權(quán)，該技術(shù)適用于8英寸、12英寸晶圓上生產(chǎn)全局快門、堆棧式BSI CMOS類型傳感器，應(yīng)用在dToF類似芯片上最小可實現(xiàn)10μm像素大小，當(dāng)應(yīng)用在ToF芯片上時更可縮小到2.5μm或更小。到了去年11月Tower Semiconductor進(jìn)一步表示，利用BSI堆棧式技術(shù)后能設(shè)計出更為先進(jìn)的傳感器，并制成了iTOF、dTOF和1英寸高性能傳感器。至此可以肯定，Tower Semiconductor具備BSI與堆棧式技術(shù)，并能用于量產(chǎn)，掃清了代工Z9 CIS的障礙。

在今年2月，尼康在ISSCC（國際固態(tài)電路會議）上公布了一塊1英寸BSI CMOS傳感器，它采用了堆棧式結(jié)構(gòu)，由65nm CIS與65nm DRAM組合而成，單個像素大小為2.7×2.7 μm，總像素為1784萬（4224×4224），最高能以4K1000P速度輸出，動態(tài)范圍為110db，若輸出速度降低到4K60P，動態(tài)范圍將提升至134db。而且分為264×264塊，即16×16像素為一塊，邏輯電路能獨立控制每一塊的曝光時間，能捕捉更高動態(tài)范圍，實現(xiàn)硬件級別的HDR，可見尼康已經(jīng)具備設(shè)計先進(jìn)堆棧式CIS的能力。

目前無法判斷尼康新1英寸CIS與Tower Semiconductor有什么聯(lián)系，但可以肯定的是Tower Semiconductor具備代工Z9 CIS的能力，而且Z9性能是可以期望的。