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前兩天，國(guó)內(nèi)首款自主研發(fā)的DDR4內(nèi)存顆粒終于鋪貨上市，這顆國(guó)內(nèi)DDR4內(nèi)存顆粒由合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)研發(fā)。

目前長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已經(jīng)能夠批量生產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片、DDR4模組及LPDDR4X移動(dòng)內(nèi)存，而頻率可達(dá)2666MHz、2666MHz、3733MHz，已經(jīng)是目前主流水平，考慮到DDR5內(nèi)存明年才有可能見到，必須更換主板平臺(tái)才有機(jī)會(huì)支持，所以DDR4內(nèi)存還會(huì)占據(jù)市場(chǎng)很多年。

不過長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)內(nèi)存芯片使用的還是10G1工藝，也就是19nm工藝，屬于10nm級(jí)別工藝的第一代，相比三星來說落后了兩到三代水平。不過長(zhǎng)鑫已經(jīng)在規(guī)劃后續(xù)的內(nèi)存新品及工藝了，預(yù)計(jì)還會(huì)有10G3、10G5工藝。

而對(duì)應(yīng)產(chǎn)品方面，除了目前已經(jīng)正在售賣的DDR4、LPDDR4之外，未來還將會(huì)有DDR5、LPDDR5、GDDR6等，覆蓋桌面、移動(dòng)及圖形三大市場(chǎng)，產(chǎn)品線齊全。