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雖然三星電子的10納米級第七代DRAM（即1d DRAM）已經(jīng)完成了預生產(chǎn)批準（PRA）流程，但是據(jù)韓媒《朝鮮日報》報道，三星最終還是叫停了量產(chǎn)計劃。

1d DRAM是三星將用于第九代高帶寬內(nèi)存HBM5E的關(guān)鍵芯片，雖然當前的1c DRAM覆蓋了第六代到第八代內(nèi)存（HBM4、HBM4E、HBM5），工藝也十分成熟。但HBM5E需要的是更強大的性能，用1c DRAM可能會因為物理極限而產(chǎn)生瓶頸，所以需要容量更大、速度更快的1d DRAM來頂上。

三星在GTC 2026上展示的HBM4E

據(jù)悉，三星原計劃在今年一季度進行1d DRAM的試產(chǎn)，但是卡住三星的還是良率這個問題。三星管理層在評估了情況之后，認為工藝難度呈指數(shù)型增長，擔心良率不及預期將導致投資回報率下降。而且據(jù)消息人士補充稱，目前也沒有客戶對1d DRAM表現(xiàn)出意向，所以管理層決定無限期推遲量產(chǎn)。這良率難道要成為繼電池之后的第二個“心魔”？

《朝鮮日報》稱，半導體行業(yè)是良率定生死的行業(yè)，1%的良率變動就關(guān)系到數(shù)萬億韓元（1萬億韓元=46.2億人民幣）的利潤，三星在這個節(jié)骨眼下選擇謹慎對待也就不無道理了，原安排在1d DRAM項目組的400多人都已經(jīng)停工。至于何時復工，那起碼也得等到良率達標為止。 受此影響，HBM5E或許也要延期了。

三星的這個決定也加劇了內(nèi)部的危機感，因為據(jù)稱SK海力士在1d DRAM上的進展相對更加順利。業(yè)內(nèi)人士稱，三星去年在1c DRAM和1d DRAM同時發(fā)力的路線是錯誤的，還不如集中力量懟其中一個方向。三星這個選錯路線的傳統(tǒng)藝能也是沒誰了。