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此前我們?cè)鴪?bào)道蘋果計(jì)劃與英特爾達(dá)成芯片供應(yīng)協(xié)議，在2027年或2028年，讓英特爾為非Pro版的iPhone以及Mac和iPad產(chǎn)品線提供芯片代工服務(wù)，采用英特爾的EMIB封裝。

而根據(jù)最新的爆料，英特爾又迎來一個(gè)大客戶，那就是聯(lián)發(fā)科。

爆料稱聯(lián)發(fā)科將會(huì)采用英特爾14A打造天璣系列SoC，不過外媒似乎有些擔(dān)心英特爾14A先進(jìn)制程的良率與功耗控制能否如期達(dá)標(biāo)。

據(jù)了解，英特爾14A直接對(duì)標(biāo)臺(tái)積電14A工藝，屬于1.4nm級(jí)別。英特爾14A工藝采用了第二代RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerDirect背面供電技術(shù)，相較于18A性能提升15%—20%，功耗可以降低25%—35%。

不過雖然PowerDirect背面供電技術(shù)讓芯片能夠提升晶體管密度，同時(shí)還可以帶來更高、更穩(wěn)定的頻率，但是也有一個(gè)副作用，那就是會(huì)讓芯片產(chǎn)生比較嚴(yán)重的自熱效應(yīng)。

如果這項(xiàng)技術(shù)是用于桌面處理器上，那么無可厚非。畢竟用戶有各種主動(dòng)散熱方案可以解決發(fā)熱的問題。但如果這項(xiàng)技術(shù)是用于手機(jī)SoC，那么手機(jī)有限的散熱空間或?qū)㈦y以承載其發(fā)熱負(fù)荷。

據(jù)了解，高通下一代旗艦芯片為了緩解散熱問題，已經(jīng)確定采用三星HPB散熱技術(shù)。或許聯(lián)發(fā)科也能夠采用類似的技術(shù)來緩解芯片發(fā)熱問題。

聯(lián)發(fā)科雖然一直與臺(tái)積電保持良好的合作關(guān)系，但臺(tái)積電產(chǎn)能長(zhǎng)期被英偉達(dá)、蘋果等客戶占據(jù)，而臺(tái)積電產(chǎn)能越來越吃緊，聯(lián)發(fā)科選擇與英特爾合作，一定程度上可以緩解產(chǎn)能焦慮。

此外還有消息稱英特爾EMIB封裝成本較臺(tái)積電CoWoS低30%—40%，也非常適合聯(lián)發(fā)科芯片產(chǎn)品的市場(chǎng)定位。