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AMD YES!未來CPU L2緩存也將實現堆疊

AMD YES!未來CPU L2緩存也將實現堆疊

鱈魚堡 / 2026-01-16 10:5625984

只要是熟悉PCDIY的游戲玩家們,都深知AMD在3D V-Cache技術上的成功。通過該技術搭載超大容量L3緩存的Ryzen X3D系列處理器,更是讓游戲幀數開啟了“火箭式”飆升模式。

但AMD顯然不會在目前的進度上止步不前,就在剛才,AMD新公布了一篇名為“Balanced Latency Stacked Cache”的專利研究論文,主題為探索在將來的處理器上實現堆疊L2緩存的技術路線,并以此作為AMD下一步的研究項目。

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AMD在該論文中給出了堆疊式L2緩存的設計架構圖例。從一塊基底芯片,分別與一塊計算芯片和緩存芯片相連,然后在其上方再額外疊加一層計算芯片與緩存芯片。

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圖中的單個緩存模塊由四個獨立的512K區域組成,并且還設有一個CCC控制電路,由此構成總共為2MB的L2緩存。該L2緩存單元可以根據實際設計需要進行堆疊擴展,在示例圖中展示了可擴大至雙層4MB的容量。

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論文中提到的堆疊方案在原理上基本延續了之前用于L3緩存的3D V-Cache技術。即通過硅通孔垂直排布在每套堆疊緩存系統的中央,將L2、L3緩存堆疊層與基底芯片、計算模塊連接在一起。而整個系統則是由多個雙層堆疊系統構成,其中CCC控制電路對于負責管控數據的輸入輸出走線起到關鍵作用。

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同時AMD還將傳統的平面布局1MB L2緩存進行了對比,文中指出平面布局的1MB L2緩存典型延遲為14個時鐘周期,而采用堆疊技術的1MB L2緩存延遲只需要12個時鐘周期。從而表明,堆疊式L2緩存不僅可以擴充其容量,而且還可以帶來更好的延遲表現,并且對于功耗和熱管理都有更好的改善。

從AMD發布的這項新研究,我們有理由相信,AMD將在3D V-Cache技術中持續深耕,并且未來將會把這項堆疊L2緩存技術整合到旗下的各類消費級Ryzen和企業級EPYC處理器中,以此拉升性能上限,只是要等待這項技術的真正落地還尚需時日。不過一家歡喜一家愁,作為老對手的Intel如果不再拿出點新本事,日子可能就更加不太好過咯。


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