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近日，SK海力士在超級(jí)計(jì)算大會(huì)2025上展示了全球首個(gè)12層堆疊的HBM4內(nèi)存芯片，其單顆芯片集成了2048個(gè)I/O通道，帶寬飆升同時(shí)功耗效率提升40%，與前代HBM3相比，HBM4運(yùn)行速度提高60%以上、數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)到10Gbps，大幅超越了JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的8Gbps。

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據(jù)悉，早在今年3月份SK海力士就向英偉達(dá)等主要客提供了12層HBM4樣品，今年九月份完成開發(fā)并全球構(gòu)建量產(chǎn)體系。而11月份SK海力士與英偉達(dá)達(dá)成的HBM4供應(yīng)協(xié)議中，單顆產(chǎn)品定價(jià)已然突破560美元，現(xiàn)階段SK海力士HBM4產(chǎn)能已被全部預(yù)定，英偉達(dá)Rubin芯片、AMD MI400等新一代AI加速器均在采用HBM4架構(gòu)。

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據(jù)介紹，SK海力士通過(guò)增加芯片堆疊層數(shù)和先進(jìn)接口設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)帶寬升級(jí)；通過(guò)自主創(chuàng)新的Advanced MR-MUF技術(shù)，來(lái)控制芯片堆疊時(shí)的翹曲現(xiàn)象從而顯著提升散熱性能和穩(wěn)定性。如圖，超級(jí)計(jì)算大會(huì)2025上SK海力士聯(lián)合英偉達(dá)展出的GB300平臺(tái)就采用HBM4內(nèi)存方案，其擁有2048個(gè)I/O通道、11Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率、12Hi 24GB 顆粒堆疊。

數(shù)據(jù)顯示在當(dāng)下HBM市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中，SK海力士擁有全球62%市場(chǎng)占有率，其已然控制英偉達(dá)超90%的HBM產(chǎn)品供應(yīng)。而擁有半導(dǎo)體生產(chǎn)線的三星電子才憑借HBM3E技術(shù)機(jī)身英偉達(dá)供應(yīng)鏈，而美光目前正在進(jìn)行的HBM4設(shè)備采樣，數(shù)據(jù)傳輸速率只有9.2 GT/s。

隨著SK海力士第六代HBM4內(nèi)存技術(shù)迭代、產(chǎn)能升級(jí)，三星、美光面臨的技術(shù)、市場(chǎng)壓力會(huì)越來(lái)越大，在未來(lái)AI算力革命中誰(shuí)能在技術(shù)迭代速度、產(chǎn)能釋放效率與客戶綁定深度上形成綜合優(yōu)勢(shì)，誰(shuí)才能真正站穩(wěn)跟腳，市場(chǎng)留給SK海力士、三星的機(jī)遇都很大。