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三星是一家世界著名的半導體晶圓制造商，不過從7nm制程開始，三星的制程工藝似乎與臺積電相比有一定的差距了，特別是5nm以及4nm制程更是如此，無論是英偉達還是高通，采用三星制程工藝似乎并沒有在功耗以及性能之間取得很好的平衡。于是三星這一次宣布將會量產3nm制程工藝，在功耗、性能上均有比較大的提升，希望能夠借助該工藝實現(xiàn)翻身。

三星已經(jīng)宣布成功量產3nm制程工藝的芯片，而這也是全球首款采用3nm制程工藝的芯片，而目前臺積電最新的制程工藝為4nm，也就是說三星在制程上似乎力壓臺積電。與之前相比，三星的3nm制程已經(jīng)放棄了FinFET，而是采用GAA工藝，這也是三星首次采用這項工藝。相比較目前的5nm制程工藝，三星稱全新的3nm制程工藝能夠有效地降低功耗大約45%，芯片面積也可以降低16%，同時性能提升23%。

不過過去三星一直都是在放衛(wèi)星，而且據(jù)悉在晶體管密度上，相同制程下三星似乎要落后臺積電不少，不知道在3nm時代，三星能否緊跟臺積電腳步，在制程性能上不落下風。