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近日，鎧俠發(fā)布了一款全球最薄的1TB UFS 3.1閃存芯片，這款閃存芯片的封裝厚度只有1.1mm，可實現(xiàn)2050 MB/s的順序讀取速度以及1200 MB/s的順序?qū)懭胨俣取ｉW存顆粒為BiCS FLASH?3D NAND，并且支持WriteBooster和HPB技術(shù)，WriteBooster可有效提高這款閃存芯片的寫入速度，而在引入HPB技術(shù)后也提高了它的隨機讀取性能。

HPB技術(shù)全稱Host Performance Booster，它能解決手機在使用過程中逐步變卡的問題，長時間使用手機后運行變慢卡頓的原因之一就是由于文件系統(tǒng)碎片化和存儲器隨機讀性能下降所導(dǎo)致。由于存儲器的緩存能力有限，頻繁重載L2P Map表就會造成性能開銷過大。而HPB技術(shù)可利用手機的內(nèi)存來緩存L2P Map表， 從而提升了長時間隨機讀取能力的表現(xiàn)。

雖然目前使用鎧俠UFS 3.1閃存的手機還是相對較為少見，比較知名的手機有全球首發(fā)高通驍龍870的motorola edge s和三星Galaxy Note 20，不過這款全新推出的閃存芯片應(yīng)該會有不錯的競爭力，較薄的封裝設(shè)計也能進一步減小手機的厚度，預(yù)計未來會有更多的智能手機會用上這款閃存芯片。