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現(xiàn)在市面是的SSD都采用了3D NAND存儲技術(shù)，與2D NAND 相比，3D NAND 能夠?qū)崿F(xiàn)更高的容量和性能、更低的功耗和成本，這也是為什么眾多廠商都在積極研發(fā)和推出更高層數(shù)的3D NAND產(chǎn)品。而全球閃存大廠美光近期宣告了自己最新的第五代 3D NAND閃存技術(shù)，堆疊層數(shù)達(dá)到176 層。

美光176 層 NAND 支持的接口速度為 1600MT / s，高于其 96 層和 128 層閃存的 1200MT / s。與 96L NAND ，相比之下，讀寫延遲降低了35% 以上，與 128L NAND 相比，降低了25% 以上。與使用 96L NAND的UFS 3.1模塊相比，美光芯片的總體混合工作負(fù)載降低了約15%。

美光表示其 176 層 3D NAND 已開始批量生產(chǎn)，并已在某些英睿達(dá)的消費(fèi)級 SSD 產(chǎn)品中出貨。

而其他廠商，三星正在開發(fā)176層第七代V-NAND，計(jì)劃明年4月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，SK 海力士也正在進(jìn)行176層3D NAND的研發(fā)。至于英特爾，之前是計(jì)劃在今年年底實(shí)現(xiàn)更高層數(shù)144層產(chǎn)品的量產(chǎn)，但不知道英特爾出售閃存業(yè)務(wù)是否會影響到技術(shù)量產(chǎn)。